1997

• MBE Growth and Structural Characterization of SiC/SiGe Superlattices

  ZERLAUTH S. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Cryst. Growth, rok: 1997, ročník: 1997, vydání: 175

• Reciprocal space mapping on Si 1-x C x epilayers and Si n/C/Si n superlattices

  STANGL J. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  Journal of crystal growth, rok: 1997, ročník: (19)1997, vydání: 2-4

• Stacked Josephson junction based on Nb/Si superlattice

  VÁVRA I. HOLÝ Václav KUBĚNA Josef

  Článek v odborném periodiku

  Low Temperature Physics, rok: 1997, ročník: 1997, vydání: 106

• Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

  LI J.H. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Appl. Phys., rok: 1997, ročník: (82)1997, vydání: 15

• Structural characterization of self-assembled quantum dot structures by X-ray diffraction techniques

  DARHUBER A.A. STANGL J. HOLÝ Václav BAUER G. KROST A. GRUNDMANN M. BIMBERG D. USTINOV V.M. KOP'EV P.S. KOSOGOV A.O. WERNER P.

  Článek v odborném periodiku

  Thin Solid Films, rok: 1997, ročník: 1997, vydání: 303

• Vibrational modes in Si x Ge 1-x alloys: temperature and compositional dependence

  LORENC Michal HUMLÍČEK Josef

  Článek v odborném periodiku

  Acta Physica Polonica A, rok: 1997, ročník: (92)1997, vydání: 5

• X-ray reflectivity reciprocal space mapping of strained SiG /Si superlattices

  HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  II Nuovo Cimento, rok: 1997, ročník: 1997, vydání: 19 D

1996

• Dynamical theory of diffraction of particles: Ewald's approach. I

  DUB Petr LITZMAN Otto MIKULÍK Petr

  Článek v odborném periodiku

  Scripta Fac. Sci. Nat. Univ. Purk. Brun., rok: 1996, ročník: 1996, vydání: 26

• Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction

  HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  Solid - State Electronics, rok: 1996, ročník: 40(1996), vydání: 1-8

• Far-infrared Ellipsometry of Depleted Surface Layer in Heavily Doped N-type GaAs

  HUMLÍČEK Josef HENN R. CARDONA M.

  Článek v odborném periodiku

  Appl. Phys. Lett., rok: 1996, ročník: 69(1996), vydání: 17