X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
| Název česky | Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2005 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | J. Phys. D: Appl. Phys. |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | X-ray; diffuse scattering; defects; nitrogen; silicon |
| Popis | Studovali jsme dusíkem dopované křemíkové desky ze začátku, středu a konce ingotu, žíhané na nízké a vysoké teplotě. Použili jsme trojosý rentgenový difraktometr s vysokým rozlišením. Rozložení intensity v reciprokém prostoru od shluků vakancí, vrstevných chyb a dislokačních smyček jsme modelovali použitím Krivoglazovy teorie a kontinualní model deformačního pole defektu. Dobrá shoda teorie s experimentálními daty nastává pro model dislokačních smyček. Typ dislokačních smyček lze určit ze symetrie naměřených map reciprokého prostoru a z rezu techto map můžeme určit poloměr a koncentraci smyček. Tyto parametry bylo doplněny výsledky ze selektivního leptání a infračervené absorpční spektroskopie. |
| Související projekty: |