MODIFICATIONS OF THE OPTICAL PARAMETERS OF THE SILICON THIN FILMS DUE TO THE LIGHT SCATTERING

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Pedagogickou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

SLÁDEK Petr SŤAHEL Pavel ŠŤASTNÝ Jiří PŘIKRYL Radek

Rok publikování 2000
Druh Článek ve sborníku
Konference Electronic Devices and Systems Y2K
Fakulta / Pracoviště MU

Pedagogická fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Light scattering; Si thin film ; Photocurrent
Popis We use photocurrent and photothermal deflection spectroscopies to study defects in amorphous, polymorphous and microcrystalline Si thin films. Enhanced light absorption in mc-Si, nc-Si and pm-Si films is due to the several contributions, one of which is the light scattering. For the estimation of the influence of the light scattering on the standard CPM measurements we use the innovation method of the "outside" induced excess current, when the probing beam is impinging outside the region with the electric field (between electrodes).
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info