GaAs quantum dots under quasiuniaxial stress: Experiment and theory

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

YUAN Xueyong SILVA Saimon F. Covre da CSONTOSOVÁ Diana HUANG Huiying SCHIMPF Christian REINDL Marcus LU Junpeng NI Zhenhua RASTELLI Armando KLENOVSKÝ Petr

Rok publikování 2023
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physical Review B
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235412
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235412
Klíčová slova Elasticity; Electronic structure; Excitons; Fermions; Lifetimes and widths; Luminescence; Nonlocality; Quantum cryptography; Stress
Popis The optical properties of excitons confined in initially unstrained GaAs/AlGaAs quantum dots are studied as a function of a variable quasiuniaxial stress. To allow the validation of state-of-the-art computational tools for describing the optical properties of nanostructures, we determine the quantum dot morphology and the in-plane components of externally induced strain tensor at the quantum dot positions. Based on these experimental parameters, we calculate the strain-dependent excitonic emission energy, degree of linear polarization, and fine-structure splitting using a combination of eight-band k·p formalism with multiparticle corrections using the configuration interaction method. The experimental observations are quantitatively well reproduced by our calculations and deviations are discussed.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info