Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges

• Název česky: Analýza vrstevných chyb epitaxního 3C-SiC na Si(001) hřebenech
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; KREILIGER Thomas; PRIETO Ivan; MAUCERI Marco; PUGLISI Marco; MANCARELLA Fulvio; LA VIA Francesco; CRIPPA Danilo; MIGLIO Leo; VON KÄNEL Hans
• Rok publikování: 2016
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Materials Science Forum
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: High-resolution X-ray diffraction; high-resolution scanning electron microscopy; electron backscatter diffraction; stacking faults; patterned Si substrates; heteroepitaxy; 3C-SiC
• Popis: Vrstevné chyby (SFs) ve 3C-SiC vyrobeném epitaxně na hřebenech hluboce vyleptaných do Si(001) substrátu s ofcutem ve směru [110] byly kvantitativně analyzovány pomocí elektronové mikroskopie a rtg difrakce.

Související projekty

• CEITEC - středoevropský technologický institut
• NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
• Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery