Informace o projektu
Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek

Informace

Projekt nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka projektu je na webu muni.cz.

Kód projektu

GA202/00/0354

Období řešení

1/2000 - 1/2002

Investor / Programový rámec / typ projektu

Grantová agentura ČR

Standardní projekty

Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Samouspořádávací procesy při epitaxním růstu polovodičových heterostruktur jsou vhodným kandidátem pro růst velmi malých struktur (kvantových drátů a teček) se zajímavými technologickými aplikacemi. V rámci navrhovaného projektu bude studována struktura samouspořádaných rozhraní RTG rozptylem (RTG maloúhlá reflexe, RTG difrakce s vysokým rozlišením, grazing-incidence RTG difrakce) a pomocí rastrovací mikroskopie AFM (atomic force microscopy). Experimentální výsledky budou srovnány s modelovými simulacemi epitaxního růstu, založenými na výpočtu deformačního pole poblíž rostoucího rozhraní a na Monte-Carlo simulaci kinetiky růstu. Pozornost bude věnována zejména supermřížkám SiGe/Si, SiC/Ge a PbSe/PbEuTe připravených metodou molekulární epitaxe. RTG měření budou prováděna na laboratorních zdrojích a na synchrotronu ESRF v Grenoblu. Na vysokoteplotním laboratorním reflektometru budou sledovány strukturní změny v samouspořádaných strukturách za vyšších teplot.

Publikace

Počet publikací: 26

2004

High-resolution diffuse x-ray scattering from threading dislocations in heteroepitaxial layers

HOLÝ Václav DANIŠ Stanislav BAUER Guenther ZHONG Zhenyang

Článek v odborném periodiku

Applied Physics Letters, rok: 2004, ročník: 85, vydání: 7
High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures

HOLÝ Václav PIETSCH Ullrich BAUMBACH Tilo

Odborná kniha

Rok: 2004, počet stran: 408 s.
Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures

HOLÝ Václav STANGL Julian BAUER Guenther

Článek v odborném periodiku

Review of Moder Physics, rok: 2004, ročník: 76, vydání: 4

2002

Diffuse x-ray reflectivity from self-assembled ripples with superimposed roughness in Si/Ge superlattices

HOLÝ Václav MEDUŇA Mojmír ROCH Tomáš BAUER Guenther

Článek v odborném periodiku

Semicond. Sci. Technol., rok: 2002, ročník: 17, vydání: 1
Dot size dependence of vertical and lateral ordering in selforganized PbSe/PbEuTe quantum-dot superlattices

GUNTHER Springholz RAAB Anneliese LECHNER Rainer HOLÝ Václav

Článek v odborném periodiku

Appl. Phys. Lett., rok: 2002, ročník: 82, vydání: 15
Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

HESSE Anke STANGL Julian HOLÝ Václav

Článek v odborném periodiku

Physical Review B, rok: 2002, ročník: B66, vydání: 5
Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

HOLÝ Václav

Článek v odborném periodiku

Appl. Phys. Lett., rok: 2002, ročník: 80, vydání: 3
Investigation of morphology and chemical composition of self-organized semiconductor quantum dots and wires by X-ray scattering

HOLÝ Václav MEDUŇA Mojmír

Článek v odborném periodiku

Acta Physica Polonica, rok: 2002, ročník: A102, vydání: 3
Lateral composition modulation in (InAs)(n)/(AlAs)(m) short-period superlattices investigated by high-resolution x-ray scattering

LI Jianhua HOLÝ Václav MEDUŇA Mojmír

Článek v odborném periodiku

Physical Review B, rok: 2002, ročník: 66, vydání: 8
Non-specular X-ray reflection from self-organized ripple structures in Si/Ge multilayers

MEDUŇA Mojmír HOLÝ Václav STANGL Julian

Článek v odborném periodiku

Physica E, rok: 2002, ročník: 13, vydání: 4