Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

• Název česky: Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs
• Autoři: SCHMIDBAUER Martin; UGUR Asli; WOLLSTEIN C.; HATAMI Fariba; KATMIS Ferhat; CAHA Ondřej; MASSELINK W. T.
• Rok publikování: 2012
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of Applied Physics
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• www: http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
• Doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS
• Popis: Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
• Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů