InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Pokrytí InAs/GaAs kvantových teček v kineticky limitovaném MOVPE růstovém režimu
Autoři	HOSPODKOVÁ Alice PANGRÁC J. VYSKOČIL J. OSWALD J. VETUSHKA A. CAHA Ondřej HAZDRA P. KULDOVÁ K. HULICIUS E.
Rok publikování	2011
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace	HOSPODKOVÁ, Alice, J. PANGRÁC, J. VYSKOČIL, J. OSWALD, A. VETUSHKA, Ondřej CAHA, P. HAZDRA, K. KULDOVÁ a E. HULICIUS. InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime. Journal of crystal growth. Amsterdam: Elsevier Science, 2011, roč. 317, č. 1, s. 39-42. ISSN 0022-0248. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076.
Doi	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis	Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček mohou být významně změněny vlastnostmi krycí vrstvy. Studovali jsme efekt parciálního tlaku prvků III. skupiny na fotoluminiscenci.
Související projekty:	Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách