Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil MUNZAR Dominik HUMLÍČEK Josef

Rok publikování 2010
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Applied Physics Letters
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://link.aip.org/link/?APL/97/203107
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova band structure; gallium arsenide; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; k.p calculations; photoluminescence; red shift; semiconductor quantum dots
Popis The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y and its blue shift with increasing excitation power. For y>0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectric field. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info