X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
| Název česky | Rtg difúzní rozptyl od vrstevných chyb v CZ Si |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2006 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Semicond. Sci. Technol. |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | High resolution X-ray diffraction; Defects; Czochralski method; Semiconducting silicon |
| Popis | Pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením byly v reciprokém prostoru naměřeny mapy rozložení rozptylu na defektech v Si deskách po žíhání. K výpočtu pole výchylek v okolí vrstevných chyb a dislokačních smyček byla použita Burgersova teorie elasticity. Díky těmto výpočtům byly provedeny simulace intenzity rtg difúzního rozptylu. Porovnáním naměřených a nasimulových map lze určit velikost a typ defektu. Typ defektu byl určen ze symetrie naměřených map, ve kterých byly pozorovány proužky s vyšší intenzitou odpovídající rovinným defektům v rovinách (1 1 1). Díky šířce těchto proužků a porovnáním měření a simulaci jsme určili poloměr vrstevných chyb s Burgerovým vektorem a/3[1 1 1] v rovinách {1 1 1} v rozmezí 0,3-0,5 mikrometrů. |
| Související projekty: |