Nitrogen in Czochralski-grown silicon

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

ŠIK Jan LORENC Michal ŠTOUDEK Richard

Rok publikování 2002
Druh Článek ve sborníku
Konference SILICON 2002, Rožnov pod Radhostěm, TECON Scientific, editor K. Vojtěchovský
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova silicon; nitrogen
Popis Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) are used to study nitrogen-doped Czochralski-grown (CZ) crystal. We observe nitrogen-related vibrational modes typical for CZ silicon and estimate nitrogen content to be 1.6x10^15 cm-3 from its quantitative analysis. This value is in a good agreement with result of 2.4x10^15 cm-3 from calculations assuming constant segregation coefficient 7x10^(-4). On the other hand, SIMS measurements give much higher value of 8.3x10^15 cm-3. Only 4-5% of nitrogen occupy substitutional sites. We also observe an obstruction of dislocation movement during crystal cooling.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info