High-resolution x-ray diffraction on self-organized step bunches of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> grown on (113)-oriented Si

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

STANGL J. HOLÝ Václav DARHUBER A.A. MIKULÍK Petr BAUER G. ZHU J. BRUNNER K. ABSTREITER G.

Rok publikování 1999
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj J. Phys. D: Appl. Phys.
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Popis We present investigations of a highly regular terraced surface and interface structure of Si/SiGe multilayers on Si(113) by x-ray diffraction, x-ray reflectivity and atomic force microscopy. A regular array of step bunches with lateral periods of several hundred nanometres is formed during the growth of the Si/Si1-xGex multilayers. X-ray diffraction patterns are simulated using the elastic Green function approach for the evaluation of the strain fields associated with the step edges, taking into account the relaxation towards the free surface. In addition to the terrace structure, a surface waviness on the micrometer length scale is present, leading to a modulation of the terrace widths.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info