Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

STEINDL Petr KLENOVSKÝ Petr

Rok publikování 2022
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Nanomaterials
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www https://www.mdpi.com/2079-4991/12/4/719/
Doi http://dx.doi.org/10.3390/nano12040719
Klíčová slova electric dipole; quantum dots; InGaAs; k·p method; electronic structure
Popis Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k·p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info