Study of graphene layer growth on dielectric substrate in microwave plasma torch at atmospheric pressure

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Studium růstu grafénových vrstvev na dielektrickém substrátu v mikrvlnném plazmatu za atmosférického tlaku
Autoři

JAŠEK Ondřej TOMAN Jozef ŠNÍRER Miroslav KUDRLE Vít JURMANOVÁ Jana

Rok publikování 2019
Druh Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Popis Rozklad etanolu v mikrovlnné plazmě představuje jednoduchý a ekologický způsob produkce grafenu v plynné fázi. V této práci studujeme tvorbu grafenové vrstvy na dielektrickém substrátu Si / SiO2 umístěném v blízkosti výboje. Mikrovlnný plazmový hořák (2,45 GHz, 200-1000 W) při atmosférickém tlaku byl použit ke studiu ukládání grafenové vrstvy v Ar (250-1000 sccm) a ethanolu (1-5 sccm). Použili jsme dvoukanálovou konfiguraci tryskové elektrody s centrálním tokem Ar a prekurzorem / proudem Ar v sekundárním kanálu. Homogenita a kvalita grafenové vrstvy byla zkoumána v závislosti na teplotě substrátu (700-1000 K) a toku prekurzoru. Vzorky byly analyzovány pomocí SEM, Ramanovy spektroskopie a rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS). SEM analýza oxidu křemičitého substrátu odhalila přítomnost několika nm velkých krystalů grafenu a větších, 100 nm a větších, grafenových vloček. Velikost a distribuce grafenových nanokrystalů se měnila v závislosti na teplotě substrátu a průtoku prekurzoru. Zvýšením průtoku ethanolu se zvýšila velikost krystalů a zvýšil se také počet větších vloček vytvořených v plynné fázi. Ramanova spektroskopie vrstev ukázala přítomnost D (1350 cm-1), G (~ 1580 cm-1) a 2D (2690 cm-1) píků s velkým poměrem I2D / IG, jak je vidět na Obr. Analýza XPS a přizpůsobení píku C1s ukázala malý poměr uhlíkových vazeb sp3 / sp2, pod 10%, v deponovaných vrstvách. Závěrem lze říci, že mikrovlnná plazma za atmosférického tlaku byla úspěšně použita pro růst vrstvy grafenu na dielektrickém substrátu, ale kvalita vrstvy je ve srovnání s vrstvami připravnými metodou CVD nižší.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info