Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples
| Autoři | |
|---|---|
| Rok publikování | 2015 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Journal of Applied Physics |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126 |
| Doi | http://dx.doi.org/10.1063/1.4936126 |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | silicon; optical functions |
| Popis | Optické vlastnosti křemíku byly určeny v oblasti od 0.2 do 6.5 eV při pokojové teplotě, z reflexních spekter struktur SOI a elipsometrických spekter homoepitaxních vzorků.Optimalizované rezonátory SOI vykazují velkou jemnost až do blízké ultrafialové oblasti. Velmi přesné hodnoty reálné části indexu lomu vycházejí v infračerveném oboru až do energie fotonu 1.3 eV. Spektra extginkčního koeficientu určená z útlumu světla pokrývají rozsah do 3.2 eV, díky tenkým vrstvám Si ve struktuře SOI s tloušťkou až 87 nm. Tyto výsledky umožňují korigovat spektroelipsometrická data na homoepitaxních vrstvách na přítomnost redukované a stabilizované povrchové vrstvy oxidu. |
| Související projekty: |