Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates

Varování

Publikace nespadá pod Fakultu sportovních studií, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Růst, strukturní a elektronové vlastnosti epitaxních vrstvy topologického izolátoru bismut teluridu deponované na BaF2 substrátech
Autoři	CAHA Ondřej DUBROKA Adam HUMLÍČEK Josef HOLÝ Václav STEINER Hubert UL-HASSAN M. SANCHEZ-BARRIGA Jaime RADER Oliver STANISLAVCHUK T. N. SIRENKO Andrei A. BAUER Günther SPRINGHOLZ Günter
Rok publikování	2013
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Crystal Growth & Design
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
Doi	http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	SINGLE DIRAC CONE; THIN-FILMS; SURFACE-STATES; BAND-STRUCTURE; BI2TE3 FILMS; BI2SE3; RAMAN; SELENIDE;
Popis	Epitaxní vrstvy teluridů bismutu byly připraveny molekulární epitaxí z Bi2Te3 a Te. Změna toku jednotlivých složek ovlivnovala strukturu vrstev, která byla zkoumána pomocí rtg difrakce, Ramanské spektroskopie.
Související projekty:	CEITEC - středoevropský technologický institut Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů