Studies of influence of high temperature preannealing on oxygen precipitation in CZ Si wafers

• Název česky: Studie vlivu vysokoteplotního předžíhání na precipitaci kyslíku v CZ Si deskách
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; CAHA Ondřej; BURŠÍK Jiří
• Rok publikování: 2012
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of crystal growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.03.048
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: impurities; point defects; precipitates
• Popis: Studovali jsme Czochralski tažené křemíkové desky slabě dopovaný bórem po precipitaci kyslíku s použitím vysokoteplotního předžíhání.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
• CEITEC - středoevropský technologický institut